Difference between revisions of "PowDeR/Projects/MIUR PRIN 2005"
Jump to navigation
Jump to search
| Line 1: | Line 1: | ||
{{PowDeR}} | {{PowDeR}} | ||
| − | + | ===MIUR PRIN 2005:=== | |
''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.'' | ''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.'' | ||
''' | ''' | ||
Revision as of 16:00, 8 May 2008
Home - Projects - Publications - Staff - Lab Capabilities - Thesis
MIUR PRIN 2005:
Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca: Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti
