Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:
GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:
VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca:
Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti
