<center><font size="+2">'''MIUR PRIN 2005'''</font></center><br><br>
<br><center><font size="+2">'''MIUR PRIN 2005'''</font></center><br>
<font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font>
<br><center><font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font></center><br>
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: ''GHIONE Giovanni''
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: ''GHIONE Giovanni''
Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca: Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti
