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MIUR PRIN 2005: Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca: Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti
