<br><center><font size="+2">'''MIUR PRIN 2005'''</font></center><br>
<br><center><font size="+2">'''MIUR PRIN 2005 (2006/2007)'''</font></center><br>
<br><center><font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font></center><br>
<br><center><font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font></center><br>
<center>Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:</center>
<center>''GHIONE Giovanni''</center><br>
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: ''GHIONE Giovanni''
<center>Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:</center>
<center>''VERZELLESI Giovanni''</center><br>
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: ''VERZELLESI Giovanni''
<center>Titolo del programma dell'unità di ricerca:</center>
<center>''Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.''</center><br>
Titolo del programma dell'unità di ricerca: ''Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.''
'''Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti'''
'''Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti'''
Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:
GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:
VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca:
Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti
