PowDeR/Projects/MIUR PRIN 2005: Difference between revisions
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MIUR PRIN 2005
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<font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font> | <font size="+1">''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''</font> | ||
Revision as of 14:04, 8 May 2008
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Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.
Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: GHIONE Giovanni
Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: VERZELLESI Giovanni
Titolo del programma dell'unità di ricerca: Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.
Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti