PowDeR/Projects/MIUR PRIN 2005: Difference between revisions

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'''MIUR PRIN 2005:'''
===MIUR PRIN 2005:===
''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''  
''Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.''  
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Revision as of 14:00, 8 May 2008


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MIUR PRIN 2005:

Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.

Coordinatore Scientifico del programma di ricerca: GHIONE Giovanni

Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca: VERZELLESI Giovanni

Titolo del programma dell'unità di ricerca: Caratterizzazione e modellistica degli effetti dei livelli profondi in FET a eterostruttura in tecnologia GaN per sistemi di telecomunicazioni e larga banda.

Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti