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MIUR FIRB 2005 (2007/2010)



Sviluppo di PHEMT in GaAs ed HEMT in GaN con field plate per applicazioni RF ad alta potenza e efficienza.


Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:
LIMITI Ernesto


Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:
CHINI Alessandro


Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti

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