PowDeR/Projects/FPFET - MIUR PRIN 2005: Difference between revisions

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<br><center><font size="+2">'''MIUR PRIN 2005 (2006/2007)'''</font></center><br>
<br><center><font size="+1">''High breakdown voltage FETs for high power and efficiency applications''</font></center><br>
<center>Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:</center>
<center>''GHIONE Giovanni''</center><br>
<center>Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:</center>
<center>''VERZELLESI Giovanni''</center><br>
<center>Titolo del programma dell'unità di ricerca:</center>
<center>''Development of field-plated GaAs-based PHEMTs and GaN-based HEMTs for high power and high efficiency RF applications''</center><br>
'''Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti'''

Revision as of 13:34, 19 May 2008


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MIUR PRIN 2005 (2006/2007)



High breakdown voltage FETs for high power and efficiency applications


Coordinatore Scientifico del programma di ricerca:
GHIONE Giovanni


Responsabile Scientifico dell'Unità di Ricerca:
VERZELLESI Giovanni


Titolo del programma dell'unità di ricerca:
Development of field-plated GaAs-based PHEMTs and GaN-based HEMTs for high power and high efficiency RF applications


Descrizione della Ricerca eseguita e dei risultati ottenuti