Michele ESPOSTO

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Ph.D. Student

Electronics and Telecommunications


Brief CV (in italian):

Michele Esposto, nato il 28 giugno 1983, è originario di Monte Sant'Angelo (FG).

Dopo il diploma di Perito Commerciale ind. Programmatore presso l'ITC "G. Toniolo" di Manfredonia (FG), consegue, presso l'Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, la Laurea di Primo Livello in Ingegneria Elettronica nell'ottobre 2005 con tesi sperimentale "Progetto e sviluppo di un sistema di rivelazione diretta di raggi X privo di scintillatore" - Prof. Luigi Rovati, Prof. Giovanni Verzellesi, e la Laurea Magistrale nel novembre 2007 con tesi sperimentale "Realizzazione di un sistema Current-DLTS per dispositivi HEMT a semiconduttori composti" - Prof. Alessandro Chini.

Supera l'Esame di Stato per l'Abilitazione all'Esercizio della Professione di Ingegnere (sez.A) nella II sessione 2007 ed è vincitore di borsa di Dottorato di Ricerca XXIII ciclo nella International Doctorate School in ICT presso l'Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia.

Il suo settore di ricerca è quello dei Dispositivi Elettronici, progetto di ricerca: "Characterization and Reliability of GaN HEMTs (High Electron Mobilty Transistors) for High Power and High Temperature Applications" sotto la supervisione del Prof. Alessandro Chini.

Attualmente, per collaborazione nel progetto di ricerca, si occupa del processing di dispositivi HEMT presso la clean-room del National Nanotechnology Laboratory del CNR, in Lecce, e si occupa di misure RF di potenza ed impulsate (Load-Pull e Current-DLTS).


Research activity:

My activity has been focused on the fabrication and RF-characterization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for high power and high temperature microwave applications. The fabrication has been carried out at the facilities of the N.N.L. (National Nanotechnology Laboratory) – part of CNR-INFM in Lecce where I spent a non-continuous period of about 4 months. In that clean-room I’ve acquired skills in contact photo-litography, metal deposition, dry and wet etching processes. I’ve fabricated standard HEMT devices on sapphire substrate yielding a 3 W/mm output power density without significant dispersion phenomena. The RF-characterization of the fabricated devices has been carried out at the DII Department of Modena, using DC and pulsed IV measurement, Current-DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) for the current-collapse analysis, and a 2GHz Continuous Wave Load-Pull system for the evaluation of RF power performances. For the next future I will work on the processing optimization and standardization. New innovative processing methods are under investigation and testing. My work is supported by the MiUR under the FIRB 2007-2010: "Enabling technologies, characterisation and modelling for wideband reconfigurable integrated electronic components for high frequency applications". Coord. Scientifico: prof. LIMITI Ernesto, Resp. Scientifico: prof. CHINI Alessandro.


List of publications:

1) A. Chini, M. Esposto, G. Verzellesi, S. Lavanga, C. Lanzieri, A. Cetronio, "Characterization and Numerical Simulations of High Power Field-Plated pHEMTs", European Microwave Week 2008, Amsterdam, October 2008.

2) A. Chini, M. Esposto, M. Bonaiuti, G. Verzellesi, F. Zanon, E. Zanoni, G. Meneghesso, "Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement", European Heterostructure Technology Workshop 2008, Venice, November 2008.

3) A. Chini, V. di Lecce, M. Esposto, G. Verzellesi, S. Lavanga, A. Cetronio, C. Lanzieri, "Trapping phenomena in field-plated high power GaAs pHEMTs", European Heterostructure Technology Workshop 2008, Venice, November 2008.


DII - Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione

Via Vignolese 905 - 41100 Modena

email: michele.esposto@unimore.it

voice: +39.059.205.6191